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台北电脑展首页 > M.2 SSD汹涌爆发 Computex存储技术盘点

M.2 SSD汹涌爆发 Computex存储技术盘点


作者:郑兆远 责任编辑:郑兆远 原创 CBSi中国·ZOL

    每一次内存制造工艺提升、CPU/主板平台的更新换代,推动内存频率提升。恰逢内存芯片制造工艺从30nm推进到20nm,英特尔升级推出新一代9系平台,DDR3内存频率在双管齐下的推动下再次突破,达到3451MHz。  

Computex存储技术盘点
DDR3超频3451MHz演示

1、新9系平台推高内存频率

Computex存储技术盘点
新一代9系平台

    Devil'Canyon处理器通过升级性能更好的内存控制器,用户配合Z97主板可轻松将体质较好的内存超频至3451MHz。在本次台北电脑展,我们不但看到单条4GB DDR3内存突破3450MHz,即使是最难超频的单条8GB DDR3内存也有大幅突破,超频3300MHz不再是梦。

2、制造工艺改善内存体质

Computex存储技术盘点 更先进的芯片制造工艺 提高内存的超频幅度

    内存芯片的制造工艺不断更新,大部分芯片厂家推进到30nm,个别诸如三星/美光处于20nm“制高点”。更先进的芯片制造工艺有利于内存厂家挑出体质更好的颗粒芯片,同时它的发热更小、所需电压更低,降低超频风险。

■高频内存的好处

    ①增加内存带宽,提高内存到CPU的数据传输能力;②提高集显平台的核显图形处理性能。

Computex存储技术盘点
经过筛选的体芯片 用于制造不同等级的内存模组

    编辑点评:海鸥偶尔飞的比麻雀低,但麻雀永远不可能像海鸥一样飞过海洋。DDR4内存暂时不如超频之后的DDR3内存,它却拥有一个更高的起点。新CPU/主板平台、制造工艺更先进的芯片得以进一步挖掘DDR3内存的超频潜力,这是否DDR3内存最后的绝唱?不可否认的是,DDR3已是强弩之末。

true 4592276.html report 1155 每一次内存制造工艺提升、CPU/主板平台的更新换代,推动内存频率提升。恰逢内存芯片制造工艺从30nm推进到20nm,英特尔升级推出新一代9系平台,DDR3内存频率在双管齐下的推动下再次突破,达到3451MHz。  DDR3超频3451MHz演示1、新9系平台推高内存频率新一代9系...
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台北国际电脑展是亚洲第一、世界第二大电脑产品展会,2014年的展出将于6月3日至6月7日期间在台北三处场馆进行。

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